根据官网APP的星完芯片向英消息，三星电子已完成第六代高带宽内存(HBM4)芯片的成第产批开发，并正处于准备量产的代H待量阶段。目前，伟达公司正在向英伟达(NVDA.US)发送HBM4原型样品进行质量测试。送样示三星的星完芯片向英目标是年底前完成开发，如果样品通过英伟达的成第产批测试，将迅速启动量产。代H待量同时，伟达三星也在构建即时量产的送样示系统。
据了解，星完芯片向英三星已经完成了HBM4的成第产批生产准备批准阶段，这一阶段是代H待量半导体开发流程中的第六步，也是伟达量产批准前的最后一步。自今年6月成功开发10纳米级第六代DRAM（“D1c”）以来，送样示HBM4的开发进展加快。三星计划借助性能更佳的HBM4，重新获得相较于竞争对手的市场优势。
在其第三季度财报中，三星提及HBM4样品正在发送给关键客户，并表示到2026年，内存业务将专注于量产具有差异化性能的HBM4产品。今年9月，竞争对手SK海力士宣布已完成下一代内存产品HBM4的开发，并准备进入量产，成为英伟达HBM芯片的主要供应商。美光科技(MU.US)在这一领域也与这两家韩国公司展开竞争。
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